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三菱IGBT模塊的發展

日期:2021-11-08 15:03
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摘要:
我國的電子技術前景越來越快。
      隨著關鍵技術的突破以及需求的前景,早期的小功率、低頻、 eupec晶閘管前景到了現在的超大功率、高頻、全控型元件。由于全控型元件可以控制開通和關斷,大大提高了開關控制的靈活性。自70年代后期以來,可關斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實用化。此后各種高頻全控型元件不斷問世,并得到迅速前景。這些元件主要有電力場控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應晶體管(SIT)和靜電感應晶閘管(SITH)等。
電力電子元件的*新前景
現代電力電子元件仍然在向大功率、易驅動和高頻化方向前景。電力電子模塊化是其向高功率密度前景的重要一步。當前電力電子元件的主要前景成果如下:
IGBT:絕緣柵雙極晶體管
三菱IGBT模塊 是一種N溝道增強型場控(電壓)復合元件,如圖1所示。它屬于少子元件類,兼有功率MOSFET和雙極性元件的優點:輸入阻抗高、開關速度快、安全工作區寬、飽和壓降低(甚至接近GTR的飽和壓降)、耐壓高、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統中。
目前,已研制出的高功率溝槽柵結構IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT元件通常采用的結構,它避免了模塊內部大量的電極引線,減小了引線電感,提高了可靠性。其缺點是芯片面積利用率下降。這種平板壓接結構的高壓大電流IGBT模塊將在高壓、大功率變流器中獲得廣泛應用。

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