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特價供應原裝英飛凌模塊FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3

日期:2021-11-07 08:18
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摘要:


英飛凌原裝FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模塊*新到貨

英飛凌

原裝FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模塊*新到貨
型號:FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3
廠家:EUPEC/英飛凌
 

EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3均屬于EUPEC第三代IGBT有兩種系列。后綴為“KE3”的址是低頻系列,其*佳開關頻率為lK一8KHz。1200V IGBT飽干和壓降VcEisal=1.7V,*適合變頻器應用。在變頻器應用中,中國已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基礎上,采用淺溝槽和優化“FS”層離子注入濃度、厚度以及集電區摻朵濃度等,又開發出高頻系州,以后綴“KT3”為標志。EUPEC“KT3”系弄在飽和壓降不增加的情況下開關頻率提高到15KHz,*適合于8KHz一15KHz的應川場合。EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3在開關頻率FK≥8KHz應用中,“KT3”比“KE3”開關損耗降低20%左右。Infineon/EUPEC 600V系列IGBT3后珊為“KE3”,是高頻IGBT模塊,開關頻率可達到20KHz,飽和壓降為1.50V,*高工作結溫可高達175℃ Infineon/EUPEC第三代IGBT,采用了溝槽柵及電場終止層(FS)兩種新技術,EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3帶來了IGBT芯片厚度大大減薄。傳統1200V NPT—IGBT芯片厚度約為200gm,IGBT3后綴為“KE3”的,厚度為140~tm左右;后綴為“KT3”芯片厚度進一步減薄到120um左右;600V IGBT3其芯片厚度僅為70~tm左右,這樣薄的晶片,加工工藝難度較大。lnfineon在超薄晶片加工技術方面在全球處于優越地位。 Infineon/EUPEC IGBT3采用了當今IGBT的*新技術(溝槽柵+電場終止層),EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3是目前*優異的IGBT產品,有些電力半導體廠家稱這些技術為第五代,甚至稱之為第八代IGBT技術。Infineon/EUPEC稱之為第三代,正如在其型號中的電流標稱一樣,模塊總足按Tc=80℃來標稱,讓產品來說話,讓用戶來評判

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